hm2.0 κάτω προστατευτικό κάλυμμα τύπου B25 Αρ. 244-21600-1
Εικόνα παρόμοια
Ορθογώνια
Τεχνολογία Press-fit
- 25 επαφές
- Μήκος σύνδεσης 3,4 mm
- για πάχος πλακέτας τουλάχιστον 1,44 mm
- Έχει δοκιμαστεί σύμφωνα με το πρότυπο IEC 61076-4-101
Περισσότερες πληροφορίες
Χρόνος παράδοσης
Τεχνικά στοιχεία
Βασικά στοιχεία
| Προδιαγραφές | IEC 61076-4-101 |
|---|---|
| Επίπεδο ποιότητας | 2 |
| Αριθμός επαφών | 25 |
| Τεχνολογία σύνδεσης | Τεχνολογία Press-fit |
| Μήκος σύνδεσης | 3,4 mm |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55 °C έως +125 °C |
Υλικό
| Υλικό επαφής | Χάλκινο |
|---|
Μηχανική
| Διάσταση πλέγματος | 2,0 mm |
|---|---|
| Δύναμη εισαγωγής ανά επαφή | Απομόνωση: μέγ. 1 N |
| Δύναμη έλξης ανά επαφή | Απομόνωση: τουλάχιστον 0,15 N |
| Διάρκεια ζωής | > 250 κύκλοι σύνδεσης |
Ηλεκτρικό
| Ρεύμα λειτουργίας | 1,5 A στους +20 °C, 1,0 A στους +70 °C |
|---|---|
| Αντίσταση επαφής | μέγ. 20 mΩ |
| Αντίσταση μόνωσης | τουλάχιστον 104 MΩ |
| Τάση δοκιμής | 750 V r.m.s. |
| Μετάδοση δεδομένων | 3.125 Gbit/s |
Εγκρίσεις / Συμμόρφωση
| Περιβάλλον | Συμμορφώνεται με την οδηγία RoHS |
|---|
Προδιαγραφές οπών
| Material | chem. Sn Schicht |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | ελάχιστο 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | max. 1.5 µm; chem. Sn Leiterplatten |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | ελάχιστο 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | rein Cu Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | ελάχιστο 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | OSP*,z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | HAL Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | ελάχιστο 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
Δομή στρώματος σύμφωνα με το IEC 60352-5
Επεξεργασία
Πένσα
Einpresswerkzeug für hm2.0 unteres Schirmblech 5 reihig
Artikelnummer 884-740-W2
Συσκευασία
Δίσκος
24 τεμάχια / δίσκος
25 δίσκοι / κουτί